| Szuperfényes és olcsó LED-ek |
 |
 |
 |
| Szerelés - Gép |
| 2010. március 10. szerda, 16:08 |
 A Sheffield Egyetemen kifejlesztett gyártási eljárásnak köszönhetően a LED-ek fénykibocsátása duplájára nőhet.
           Az egyetem villamosmérnöki karán dolgozó Tao Wang technikája nanotudományon és egy kis fizikán alapszik, de többet nem kívánt elárulni az új fejlesztésről. Azt elmondta, hogy az általa felfedezett technológia segítségével az egyes LED-ek alapanyagaként alkalmazott gallium-nitrid (GaN) kristályokban található hibák száma csökkenthető. A félvezetők hibái csapdába ejthetik az elektronokat és megakadályozzák, hogy fotonná alakuljanak át, amely csökkenti a LED hatásfokát. Wang elmondta, hogy a kristályhibák elsősorban a GaN növesztésekor keletkeznek. A félvezető kristály minősége akkor a legjobb, ha a hordozó alapréteg és a növesztett réteg azonos anyagú. A probléma az, hogy a GaN hordozók túl drágák a tömegtermeléshez, ezért a gyártók általában zafír hordozót használnak helyette, amely ugyanúgy hűl és zsugorodik, mint a GaN, de a kristályban több hiba keletkezik. Mialatt más kutatók a kristálynövesztés technológiájának továbbfejlesztésén dolgoznak, Wang technikája a gallium-nitird kristályokat - függetlenül azok minőségétől - olyan diódává alakítja, amely kevesebb hibát tartalmaz, mint a piacon fellelhető bármelyik másik LED. Wang szerint a diódáiban kétszer annyi elektron alakul át fotonná, mint a jelenlegi hasonló LED-ekben. Ez azt jelenti, hogy az új technikával dupla olyan fényes világítótest gyártható vagy egy ugyanolyan fényforrás fele annyiba kerül. Sok a titokzatosság a felfedezés körül, de ha tényleg működik, azzal egy csapásra olcsóbbá válhatnak a gallium-nitird LED-ek és elterjedhetnek hétköznapi alkalmazásokban is. Ritzinger György / mernokbazis.hu |
Galéria
Megjelent a Bautrend
2010. június-júliusi száma
Hozzászólások